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- 产品简介:主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时,允许通过的大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、高反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
12参数符号
CT---势垒电容
Cj---结(极间)电容, ;表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- ;发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
Ⅳ---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR(AV)---反向平均电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---大稳压电流。在大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数;电容比
Q---优值(品质因素)
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT(AV)---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的大功率
PMP---大漏过脉冲功率
PMS---大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率...
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2020-06-28
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- 产品简介:贴片二极管现货供应,东莞市伟圣电子有限公司,我公司销售全系列规格的贴片二极管,销售的贴片二极管型号有:SS14贴片二极管.SS24贴片二极管.IN40 07贴片二极管等,有需要的客户请致电我司,或咨询QQ,可帮客户打样。
贴片二极管?
??半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:??点接触型二极管?
??点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。??键型二极管?
??键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。??合金型二极管?
??在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。?
扩散型二极管?
? ?在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。??台面型二极管?
??PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。??
平面型二极管?
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在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。??
合金扩散型二极管?
??它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。??外延型二极管?
??用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。??肖特基二极管?
??基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。??编辑本段根据用途分类?
??1、检波用二极管??
??就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。????
2、整流用二极管??
??就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,工作频率小于KHz,高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。??...
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- 产品简介:贴片二极管现货供应,东莞市伟圣电子有限公司,我公司销售全系列规格的贴片二极管,销售的贴片二极管型号有:SS14贴片二极管.SS24贴片二极管.IN40 07贴片二极管等,有需要的客户请致电我司。
二极管的应用?
??1、整流二极管??
??利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。???
?2、开关元件??
??二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。?
???3、限幅元件??
??二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。??
??4、继流二极管??
??在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。?
???5、检波二极管??
??在收音机中起检波作用。??
??6、变容二极管??
??使用于电视机的高频头中。??
??7、显示元件??
??用于VCD、DVD、计算器等显示器上。??
??8、稳压二极管??
??反向击穿电压恒定,且击穿后可恢复,利用这一特性可以实现稳压电路。??
二极管的工作原理?
二极管实物?
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n?结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。??编辑本段二极管的类型?
??二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。??...
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- 产品简介:三极管的工作原理
三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
三极管的电流放大作用与其物理结构有关,三极管内部进行的物理过程是十分复杂的,初学者暂时不必去深入探讨。从应用的角度来讲,可以把三极管看作是一个电流分配器。一个三极管制成后,它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了
一、电流放大
下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。
二、偏置电路
三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压 大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一 个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小 信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的 信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极 电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。
三、开关作用
下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大 时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为 一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为0时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很 大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。
四、工作状态...
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0.10/件
- 产品简介:贴片电容:可分为无极性和有极性两类,无极性
电容下述两类封装为常见,即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列,
具体分类如下:类型封装形式耐压
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
贴片电容的分类
一 NPO电容器
二 X7R电容器
三 Z5U电容器
四 Y5V电容器
区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
NPO电容器
NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。...
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- 产品简介:三极管的参数反映了三极管各种性能的指标,是分析三极管电路和选用三极管的依据。
一、电流放大系数
1.共发射极电流放大系数
(1)共发射极直流电流放大系数,它表示三极管在共射极连接时,某工作点处直流电流IC与IB的比值,当忽略ICBO时
(2)共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时,集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比,即
管子的β值大小时,放大作用差;β值太大时,工作性能不稳定。因此,一般选用β为30~80的管子。
2.共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时,某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO的情况下
(2)共基极交流电流放大系数α,它表示三极管作共基极连接时,在UCB 恒定的情况下,IC和IE的变化量之比,即:
通常在ICBO很小时,与β,与α相差很小,因此,实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1.集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路,在集电极与基极之间加上一定的反向电压时,所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下,ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大,它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下,硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
2.穿透电流ICEO
ICEO是指基极开路,集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。
该电流好象从集电极直通发射极一样,故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样,也是衡量三极管热稳定性的重要参数。
三、频率参数
频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数,表征三极管的频率适用范围。
1.共射极截止频率fβ
三极管的β值是频率的函数,中频段β=βo几乎与频率无关,但是随着频率的增高,β值下降。当β值下降到中频段βO1/倍时,所对应的频率,称为共射极截止频率,用fβ表示。
2.特征频率fT
当三极管的β值下降到β=1时所对应的频率,称为特征频率。在fβ~fT的范围内,β值与f几乎成线性关系,f越高,β越小,当工作频率f>fT,时,三极管便失去了放大能力。
四、极限参数
1.大允许集电极耗散功率PCM
PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时,集电极耗散的大功率。当实际功耗Pc大于PCM时,不仅使管子的参数发生变化,甚至还会烧坏管子。
当已知管子的PCM 时,利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。
2.大允许集电极电流ICM
当IC很大时,β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2/3(或1/2)时所对应的集电极电流为ICM当IC>ICM时,β值已减小到不实用的程度,且有烧毁管子的可能。
3.反向击穿电压BVCEO与BVCEO
BVCEO是指基极开路时,集电极与发射极间的反向击穿电压。
BVCBO是指发射极开路时,集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的
BVCEO(0.5~0.8)BVCBO 。三极管的反向工作电压应小于击穿电压的(1/2~1/3),以保证管子安全可靠地工作。
三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包围的区域,便是三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的三极管,均须工作于此区。...
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0.12/1
- 产品简介:?压敏电阻厂家直销,专业的压敏电阻生产厂家,东莞市伟圣电子有限公司,我公司生产各种优质的压敏电阻,欢迎来电咨询,压敏电阻是我公司生产的主要产品。
1、所谓压敏电压,即击穿电压或阈值电压.指在规定电流下的电压值,大多数情况下用1mA直流电流通入压敏电阻器时测得的电压值,其产品的压敏电压范围可以从10-9000V不等.可根据具体需要正确选用.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC,式中,Vp为电路额定电压的峰值.VAC为额定交流电压的有效值.Zn0压敏电阻的电压值选择是至关重要的,它关系到保护效果与使用寿命.如一台用电器的额定电源电压为220V,则压敏电阻电压值V1mA=1.5Vp=1.5××220V=476V,V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,因此压敏电阻的击穿电压可选在470-480V之间.?
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- 产品简介:贴片三极管的参数反映了贴片三极管各种性能的指标,是分析贴片三极管电路和选用贴片三极管的依据。
一、电流放大系数
1.共发射极电流放大系数
(1)共发射极直流电流放大系数 ,它表示贴片三极管在共射极连接时,某工作点处直流电流IC与IB的比值,当忽略ICBO时
(2)共发射极交流电流放大系数β它表示贴片三极管共射极连接、且UCE恒定时,集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比,即
管子的β值大小时,放大作用差;β值太大时,工作性能不稳定。因此,一般选用β为30~80的管子。
2.共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数它表示贴片三极管在共基极连接时,某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO的情况下
(2)共基极交流电流放大系数α,它表示贴片三极管作共基极连接时,在UCB 恒定的情况下,IC和IE的变化量之比,即:
通常在很小时, 与β, 与α相差很小,因此,实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流
1.集-基反向饱和电流ICBO
ICBO是指发射极开路,在集电极与基极之间加上一定的反向电压时,所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下,ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大,它是贴片三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下,硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
2.穿透电流ICEO
ICEO是指基极开路,集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为:
该电流好象从集电极直通发射极一样,故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样,也是衡量贴片三极管热稳定性的重要参数。...
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2020-06-28
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1.00/1
- 产品简介:0608工字电感厂家直销,专业的工字电感生产厂家,东莞市伟圣电子有限公司,我公司生产全系列规格的工字电感。
色环电感是导线内通过交流电流时,在导线的内部及其周围产生交变磁通,导线的磁通量与生产此磁通的电流之比。变化中的电流会产生磁场,而变动的磁场会感应出电动势,其线性关系的参数,我们称为电感。理想的电感,不会产生或消耗能量,但由于电磁的互相转换,却拥有储存和释放能量的功能。电感可作为稳定电流的组件,亦可作为相位匹配的组件,也可作为低通的组件;当然,电感的用途,更有多样的变化,如储能,放能,谐振,旁路等。 电感器是用漆包线、纱包线或塑皮线等在绝缘骨架或磁心、铁心上绕制成的一组串联的同轴线匝,它在电路中用字母'L'表示。电感器通常是用漆包线在磁心上直接绕制而成,主要用在滤波、振荡、陷波、延迟等电路中,它有密封式和非密封式两种封装形式,两种形式又都有立式和卧式两种外形结构.
电感器测量方法主要测试那些参数
电感值
电感值通过Q仪器,LCR仪器或者阻抗分析器来测试,固定电感器用于信号:在直接读出电感值或者指定频率情况下使用Q仪器。在高电流线路中使用的电感器:1KHZ或者100KHZ
Q值
无负荷的Q值通过Q仪器、LCR仪器或者阻抗分析器来测试,测试频率是在电感值已经测试或者在指定的不同的频率之间确定。但是,对于高电流线路感应器而言,组坑是通过测定的,而且Q值可以忽略。
直流电阻
使用数码表进行测试
自谐振频率
使用Q仪表,阻抗分析器或者网络分析器进行测试。
??色环电感是和变压器均是用绝缘导线(例如漆包线、沙包线等)绕制而成的电磁感应元件,也是电子电路中常用的元器件之一,相关产品如共模滤波器等。???色环电感是应用于各种电子设备的多的电阻类型,无论怎样安装,维修者都能方便的读出其阻值,便于检测和更换。但在实践中发现,有些色环电阻的排列顺序不甚分明,往往容易读错,在识别时,可运用如下技巧加以判断:先找标志误差的色环,从而排定色环顺序。常用的表示电阻误差的颜色是:金、银、棕,尤其是金环和银环,一般绝少用做电阻色环的环,所以在电阻上只要有金环和银环,就可以基本认定这是色环电阻的末一环。
棕色环是否是误差标志的判别。棕色环既常用做误差环,又常作为有效数字环,且常常在环和末一环中同时出现,使人很难识别谁是环。在实践中,可以按照色环之间的间隔加以判别:比如对于一个五道色环的电阻而言,第五环和第四环之间的间隔比环和第二环之间的间隔要宽一些,据此可判定色环的排列顺序。
在仅靠色环间距还无法判定色环顺序的情况下,还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的色环读序是:棕、黑、黑、黄、棕,其值为:100×104Ω=1MΩ误差为1%,属于正常的电阻系列值,若是反顺序读:棕、黄、黑、黑、棕,其值为140×100Ω=140Ω,误差为1%。显然按照后一种排序所读出的电阻值,在电阻的生产系列中是没有的,故后一种色环顺序是不对的。...
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- 产品简介:工字电感在电路中起到的作用是跟插件电感的作用是有区别的,工字电感使用的额定电流会比一般的插件电感要大,因为工字电感的线径也比较粗,在实际电路中电感的具有抗干扰的作用,工字电感的频率特性具有一定的工作范围,工字电感对比其他的插件电感具有一定的优势,因为体积小、高Q值、低损耗、是电路中的一个重要组成部分,在电路中占用的空间也相对的比较小,更适合安装和便于电路中的使用,而且电感量的范围比较广,可根据客户要求的感量生产。
电路中对电感的要求多比较严格,因为电感对电路板起到的作用比较大,工字电感的套管一般是用PVC或者是UL的套管,一般常用的是小型的立式电感高Q值,安装空间小;用PVC或高温阻燃UL套管保护;特殊出脚设计,不易产生开路断路现象;工字电感用于电源交直流变换滤波,开关电源滤波。
工字电感不仅体积小,且安装便捷属于插件型电感,占用空间小;高Q值因素;分布电容较小;自共振频率较高;特殊导针结构,不易产生闭路现象;用PVC或UL热缩套管保护;并可用于自动插件机器;应用较为广泛。电感是导线内通过交流电流时,在导线的内部周围产生交变磁通,导线的磁通量与生产此磁通的电流之比。
当电感中通过直流电流时,其周围只呈现固定的磁力线,不随时间而变化;可是当在线圈中通过交流电流时,其周围将呈现出随时间而变化的磁力线。根据法拉弟电磁感应定律---磁生电来分析,变化的磁力线在线圈两端会产生感应电势,此感应电势相当于一个“新电源”。当形成闭合回路时,此感应电势就要产生感应电流。由楞次定律知道感应电流所产生的磁力线总量要力图阻止磁力线的变化的。磁力线变化来源于外加交变电源的变化,故从客观效果看,电感线圈有阻止交流电路中电流变化的特性。电感线圈有与力学中的惯性相类似的特性,在电学上取名为“自感应”,通常在拉开闸刀开关或接通闸刀开关的瞬间,会发生火花,这自感现象产生很高的感应电势所造成的。...
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- 产品简介:贴片二极管现货供应,东莞市伟圣电子有限公司,我公司销售全系列规格的贴片二极管,销售的贴片二极管型号有:SS14贴片二极管.SS24贴片二极管.IN40 07贴片二极管等,有需要的客户请致电我司,或咨询QQ,可帮客户打样。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现以很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常[1]广泛。??
??二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。????二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。??二极管的特性曲线?
??与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。??
??对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。??
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??
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- 产品简介:半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:
根据构造分类
⒈点接触型二极管
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。
⒉键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但
发光二极管
正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
⒊合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
⒋扩散型二极管
在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
⒌台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
⒍平面型二极管
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
⒎合金扩散型二极管
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
⒏外延型二极管...
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- 产品简介:二极管特性
二极管的工作原理
?? 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
二极管的类型
?? 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
二极管的导电特性
?? 二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1.正向特性。
??在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
2.反向特性。
?? 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
二极管的主要参数:
?? 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、额定正向工作电流
? ? 是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、高反向工作电压
? ? 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流
? ? 反向电流是指二极管在规定的温度和高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。??...
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- 产品简介:根据用途分类
⒈检波用二极管
就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于
一般二极管
检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
⒉整流用二极管
整流二极管的内部结构为一个PN结,外形封装有金属壳封、塑料封装和玻璃封装等多种形式。其管性大小随整流管的参数而异。整流二极管主要用于整流电路,利用二极管的单项导电性,将交流电变为直流电。由于整流管的正向电流较大,所以整流二极管多为面接触型的二极管,结面积大、结电容大,但工作频率低。2CP系列管壳用于小电流整流。
⑴大整流电流
是指整流二极管长时间工作所允许通过的大电流值。
⑵高反向工作电压
它是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所允许的值。如超过这个允许值,整流管就可能击穿。
⑶大反向电流
它是指整流二极管在高反向工作电压下工作时,允许通过整流管的反向电流。反向电流越小,说明整流二极管的单向导电性能越好。
⑷高工作频率
它是指整流二极管能正常工作的高频率,选用时,必须使二极管的工作频率低于此值;如高于此值,整流二极管的单向导电性受影响。
⒊限幅用二极管
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也
二极管
有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
⒋调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。
⒌混频用二极管
使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。
⒍放大用二极管
用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大。因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
⒎开关用二极管...
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0.10/桶
- 产品简介:工字电感在电路中起到的作用是跟插件电感的作用是有区别的,工字电感使用的额定电流会比一般的插件电感要大,因为工字电感的线径也比较粗,在实际电路中电感的具有抗干扰的作用,工字电感的频率特性具有一定的工作范围,工字电感对比其他的插件电感具有一定的优势,因为体积小、高Q值、低损耗、是电路中的一个重要组成部分,在电路中占用的空间也相对的比较小,更适合安装和便于电路中的使用,而且电感量的范围比较广,可根据客户要求的感量生产。
电路中对电感的要求多比较严格,因为电感对电路板起到的作用比较大,工字电感的套管一般是用PVC或者是UL的套管,一般常用的是小型的立式电感高Q值,安装空间小;用PVC或高温阻燃UL套管保护;特殊出脚设计,不易产生开路断路现象;工字电感用于电源交直流变换滤波,开关电源滤波。
工字电感的结构组成
工字电感线圈一般由磁心或铁心、骨架、绕线组、屏蔽罩、封装材料等组成:
1.工字电感的骨架是由铜芯线圈的绕线支架的。工字电感是电子电路或装置的属性之一,指的是:当电流改变时,因电磁感应而产生抵抗电流改变的电动势一些体积较大的固定式电感器或可调式电感器(如振荡线圈、阻流圈等),常用的工字电感被视为轴向电感的立式版,应用方便与轴向电感类似,但是常用工字电感可以拥有更大的体积的电感类型,电流自然也能得到一定的应用提升;大多数是将漆包线(或纱包线)直接绕在骨架上,再将磁心或铜心、铁心等装入骨架的内腔,以提高其电感量。骨架通常是采用塑料、胶木、陶瓷制成,根据实际需要可以制成不同的形状。小型电感线圈(例如工字电感)一般不使用骨架,而是直接将漆包线绕在磁芯上。
空心电感线圈(也称脱胎线圈或空心线圈,多用于高频电路中)不用磁心、骨架和屏蔽罩等,而是先在模具上绕好后再脱去模具,并将线圈各圈之间拉开一定距离。
2.绕组是指具有规定功能的一组线圈,它是工字电感的基本组成部分。
绕组有单层和多层之分。单层绕组又有密绕(绕制时导线一圈挨一圈)和间绕(绕制时每圈导线之间均隔一定的距离)两种形式;多层绕组有分层平绕、乱绕、蜂房式绕法等多种。
3.磁心与磁棒磁心与磁棒一般采用镍锌铁氧体(NX系列)或锰锌铁氧体(MX系列)等材料,它有“工”字形、柱形、帽形、“E”形、罐形、环形等多种形状。
4.铁心材料主要有硅钢片、坡莫合金等,其外形多为“E”型。
5.屏蔽罩为避免有些电感线圈在工作时产生的磁场影响其它电路及元器件正常工作,就为其增加了金属屏幕罩(例如半导体收音机的振荡线圈等)。采用屏蔽罩的电感器,会增加线圈的损耗,使Q值降低。...
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- 产品简介:高频变压器是工作频率超过中频(10kHz)的电源变压器,主要用于高频开关电源中作高频开关电源变压器,也有用于高频逆变电源和高频逆变焊机中作高频逆变电源变压器的。按工作频率高低,可分为几个档次:10kHz- 50kHz、50kHz-100kHz、100kHz~500kHz、500kHz~1MHz、1MHz以上。
高频变压器是作为开关电源主要的组成部分。开关电源中的拓扑结构有很多。比如半桥式功率转换电路,工作时两个开关三极管轮流导通来产生100kHz的高频脉冲波,然后通过高频变压器进行变压,输出交流电,高频变压器各个绕组线圈的匝数比例则决定了输出电压的多少。典型的半桥式变压电路中为显眼的是三只高频变压器:主变压器、驱动变压器和辅助变压器(待机变压器),每种变压器在国家规定中都有各自的衡量标准,比如主变压器,只要是200W以上的电源,其磁芯直径(高度)就不得小于35mm。而辅助变压器,在电源功率不超过300W时其磁芯直径达到16mm就够了。
2工作原理
编辑
变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压(或电流)。
变压器由铁芯(或磁芯)和线圈组成,线圈有两个或两个以上的绕组,其中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈。
3用途
高频变压器是工作频率超过中频(10kHz)的电源变压器,主要用于高频开关电源中作高频开关电源变压器,也有用于高频逆变电源和高频逆变焊机中作高频逆变电源变压器的。按工作频率高低,可分为几个档次:10kHz- 50kHz、50kHz-100kHz、100kHz~500kHz、500kHz~1MHz、1MHz以上。传送功率比较大的情况下,功率器件一般采用 IGBT,由于IGBT存在关断电流拖尾现象,所以工作频率比较低;传送功率比较小的,可以采用MOSFET,工作频率就比较高。
4制造工艺
编辑
高频变压器的制造工艺要点之一:
绕线
A 确定BOBBIN的参数
B 所有绕线要求平整不重叠为原则
C 单组绕线以单色线即可,双组绕线必需以双色线或开线浸锡来分脚位,以免绕错
D 横跨线必需贴胶带隔离
1. 疏绕完全均匀疏开
2. 密绕排线均匀紧密
3. 线圈两边与绕线槽边缘保持足够的安全距离A,B
4. 套管长度必须足够,一端伸入绕线管的安全胶带以内,另一端伸出BOBBIN上沿面,但不得靠近PIN
5. 外层胶带切割在铁芯组合面,切割处必须被铁芯覆盖。
6. 胶带边缘与绕线槽平齐,胶带不歪斜,不反摺不破损。
7. 跨越线底下须贴胶带,保持跨越线与底下线圈绝缘。
高频变压器的制造工艺要点之二。
缠线
A 立式BOBBIN
粗线: 0.8φ以上缠线1圈
细线0.2-0.8φ缠线1.5圈
极细线0.2φ以下缠线2-3圈
立式BOBBIN缠法之原则:缠线尽量压到底以不超过凸点为原则。
B 卧式BOBBIN :约缠2-3圈,疏绕不要压到底,以免焊锡时烫伤BOBBIN,如果有宽度限制且规格严格时才用此方式,将缠线压到底后焊锡,再剪边PIN,以减少整个变压器的宽度。
C 横式(卧式,BOBBIN之缠法:约缠2-3圈疏绕,不要压到底以免焊锡时烫伤BOBBIN。
注:如果产品有宽度限制且规格紧必须将缠线部分剪短时为特例,此时即必须将缠线尽量压到底。
高频变压器的制造工艺要点之三:
套管
一般套管之位置规则:
A 外部:套管未端与PIN之距离愈短愈好,但切记不可将套管缠在PIN上会造成空焊现象。
B 内部:a无边墙配合,平贴BOBBIN约1/2L的长度
B有边墙配合,套管一定要在档墙内。
档墙胶带(margin tape)其宽度及材料不可任意更换,因为在设计变压器时其宽度及材质都是涉及安规需特别注意。
档墙胶带之宽度:一般需与绕线绕组的高度等高,以防止在绕线时铜线叠在假墙上,但如果因装core困难时有时会包约1/2-3/4的高度,但以绕线不叠在假墙为原则.
技巧: 有时因出入线粗又有套管时如果会影响其厚度时可采用跳过引出线的做法,此时要特别注意套管的位置,一定要有足够安全距离(深入假墙之宽度)
此点一定要深入假墙内有时因假墙缺口较大时或铜箔与M/F并绕时,无明显判别是否深入假墙或线上M/T时必须选用与M/T同宽度的安全棒,每颗进行测量.
高频变压器的制造工艺要点之四:
铜片之绕制原则,一般有以下几种方式:
A 一圈不接引线,头尾不可短路,头尾之间有绝缘材料隔离
B 一圈接引线,胶带宽度必需大于铜片的宽度,
C 一圈以上之铜片两根引线
D 中间抽拓型之铜片,三根引线
高频变压器的制造工艺要点之五:
理线
1) 直立式理线标准
A细线,粗线均需理满一圈以上,理线位置介于底座与凸台的2/3高处(不足者增加理线圈数)
B线头长不可超过相邻两脚距离的一半且长不可超过1mm。
C多组线并绕理线,细线放在上层且不可理完一股再理另外一股。
D如有套管时,套管的长度不低于底座
E同槽不同脚理线时,同向而绕则。
2) 卧式理线标准
A理线平均分布在脚上,线头至少要超过线脚的一半(不足者增加理线圈数补足,但多不可超过线脚长)
B理线自脚根部理起螺旋向上且少理满一圈以上。
C线头长不可超过相邻两脚距离的一半且长不可超过1mm。
D多组线并绕理线,细线放在上层且不可理完一股再理另外一股。
E同槽不同脚理线时,同向而绕则可以且套管的长度不低于底座,不靠近PIN。
高频变压器的制造工艺要点之六:
焊锡
1) 焊锡后PIN脚平整光滑,不沾异物。
2) 线头不高于凸点。
3) 焊锡后BOBBIN完整,无容损及脚短现象 。
4) 焊油(助焊剂)残留少,无沾锡,无短路。
5) 胶带无容损 。
6) 焊锡少焊满一圈 。
7) 焊锡后不能有横向锡尖 。...
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2020-06-28
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- 产品简介:二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能
早期的二极管包含“猫须晶体('Cat's Whisker' Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。
击穿
外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。
在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
3作用
二极管是常用的电子元件之一,它大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生,既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢,其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下正向电阻如果很小,反相电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路,这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
检测小功率晶体二极管
A.判别正、负电极
(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。
(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。
(c)以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。
带有银色带一端为负极
(d)观察二极管外壳,带有银色带一端为负极。
B.检测高反向击穿电压。对于交流电来说,因为不断变化,因此高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
检测双向触发二极管
将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万同样的方法测出VBR值。后将VBO与VBR进行比较,两者的值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。
瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测
A.用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。
对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。
高频变阻二极管的检测
识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环一端为正极。
变容二极管的检测
将万用表红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。
单色发光二极管的检测...
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价格面议
- 产品简介:产品描述 The product description
产品名称 The product name:贴片电容
产品规格 Product specification:长2.00mm*宽1.25mm
产品高度 Products are highly:T=0.85mm
生产厂家 The manufacturer:东莞市伟圣电子有限公司
产品型号 Product model:0805-106M-25V-X7R
使用寿命 The service life of the:5000H
基本参数 The basic paramete
工作温度范围 Operating temperature range:-55℃to+125℃
损失角正切?The loss tangent:Max-2.5%
损失角正切测定频率?The loss Angle tangent test frequency:Nom-1KHZ
损失角正切测定电压?Loss Angle tangent to determine voltage:Nom-1.0±0.2Vrms
绝缘电阻?Iulation resistance:C≤25 nF, Ri≥10000MΩ
C>25 nF, Ri?CR>100S
X7R贴片电容属于EIA规定的Class Ⅱ类材料的电容。具有较高的电容量稳定性,其容量相对稳定。在-55℃~125℃工作温度下范围内,温度特性为±15%。具有层叠独石结构,高可靠性,安全性。优良的焊烙接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。容量大小0.1pf-100pf-1nf-1uf-100uf,额定电压:6.3v-100v-1kv-2kv-5kv容量较高应用广乏,主要应用于模块电源、汽车电子、通讯电源、LED照明电源等。
X7R材质贴片电容 封装尺寸0805贴片电容 精度10%系列产品参数及特性:
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为±15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。我司的X7R材质贴片电容价格比同行更低,供应X7R材质贴片电容 封装尺寸0805贴片电容 精度10%系列产品优势:
(1)引进先进技术,产品的性能过关;
(2)容量和介质耗损性极强;
(3)层叠独石构造,机械强度大可靠性好;
(4)可在高频电路中作为的耦合电容,也常作为谐振器、振荡器的槽路电容;
(5)焊接效率高,适合波峰焊和回流焊;
(6)尺寸符合自动贴片机要求,装配效率极高。
贴片电容介绍:
贴片电容名片式积层电容是一次性高温烧结而成的也是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合而成。
贴片电容内部结构简介:
贴片电容主要包括三大部分:陶瓷介质、内电极、端电极.其中陶瓷介质的主要作用是在电场作用下,极化介电储能。当电场变化时极化率相应发生变化时,由于不同介质种类的主要极化类型不同,其对电场变化的响应速度和极化率也不相同。
电极分为内电极与端电极。其中内电极位于贴片电容器内部,主要提供电极板正对面积,它与介质一般是交替叠放。
贴片电容是一种小型电容器,它的封装规格有0201 0402 0603 0805 1206等几种,材质有X7R Z5U Y5V NPO四种,常用的是X7R与NPO材质说明。
贴片电容M档与Z档的区别首先我们要知道M与Z的意思,其中M代表±20%的容量误差,Z代表正80%负20%的容量误差。
例:0805 10uf电容,如果M档则表示误差在8uf-12uf之间浮动,Z档则为8uf-18uf之间浮动。
贴片电容简介:
全称:多层(积层、叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容、片容,英文缩写:MLCC
主要规格尺寸,按英制标准分为:02010402060308051206以及大规格的1210180818122220222530123035等。
容量范围:0.5pF100uF其中,一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
额定电压:从4V4KVDC当额定电压在100V及以上时,即归纳为中高压产品。
片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质资料存在对应关系,主要分为三大类别。...
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价格面议
- 产品简介:高频变阻二极管的检测
识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环一端为正极。
变容二极管的检测
将万用表红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。
单色发光二极管的检测
在万用表外部附接一节能1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给予万用表串接上了1.5V的电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极红表笔所接的为负极。
红外发光二极管的检测
A.判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。
B.先测量红个发光二极管的正、反向电阻,通常正向电阻应在30k左右,反向电阻要在500k以上,这样的管子才可正常使用。
红外接收二极管的检测
A.识别管脚极性
(a)从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时,面对受光窗口,从左至右,分别为正极和负极。另外在红外接收二极管的管体有一个小斜切平面,通常带有此斜切平面一端的引脚为负极,另一端为正极。
(b)先用万用表判别普通二极管正、负电极的方法进行检查,即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值,正常时,所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准,红表笔所接的管脚步为负极,黑表笔所接的管脚为正极。
B.检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻,根据正、反向电阻值的大小,即可初步判定红外接收二极管的好坏。
激光二极管的检测
A.按照检测普通二极管正、反向电阻的方法,即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意,由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大,所以检测正向电阻时,万用表指针公略微向右偏转而已。[2]
7构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:
点接触型
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。
面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的,由于这种二极管的PN结面积大,可承受较大电流,但极间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频率电路中。
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型
在N型锗或硅的单晶片上,通过加入合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
扩散型
在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。 近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
外延型
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
肖特基
基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
8用途分类
检波二极管
检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型,所以其结电容较小,工作频率较高。一般都采用锗材料制成。就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2.整流二极管
就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,因此结电容较大,一般为3kHZ以下。高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
内部结构
3.限幅二极管
二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4.调制二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。
5.混频二极管
使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。
6.放大二极管...
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- 产品简介:开关二极管
二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。
8.变容二极管
用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压, ;使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
9.频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。
10.稳压二极管
这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变,起到稳定电压的作用。是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级。在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW、2CW56等;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
稳压二极管的温度系数α:α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数(属于齐纳击穿),即温度升高时稳定电压值下降(温度使价电子上升较高能量);稳定电压大于7V的管子具有正温度系数(属于雪崩式击穿),即温度升高时稳定电压值上升(温度使原子振幅加大,阻碍载流子运动);而稳定电压在4~7V之间的管子,温度系数非常小,近似为零(齐纳击穿和雪崩击穿均有)。
11.PIN型二极管(PIN Diode)
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。PIN中的I是'本征'意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和'本征'层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时,'本征'区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入'本征'区,而使'本征'区呈现出低阻抗状态。因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
12.雪崩二极管(Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13.江崎二极管(Tunnel Diode)
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标'P'代表'峰';而下标'V'代表'谷'。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
14.快速关断(阶跃恢复)二极管(Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成'自助电场'。由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个'存贮时间'后才能降至小值(反向饱和电流值)。阶跃恢复二极管的'自助电场'缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15.肖特基二极管 ;(Schottky Barrier Diode)
二极管电路
它是具有肖特基特性的'金属半导体结'的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
可作为续流二极管,在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。
16.阻尼二极管
阻尼二极管多用在高频电压电路中,具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。
17.瞬变电压抑制二极管
TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类。
18.双基极二极管(单结晶体管)
两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19.发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿、蓝单色光。随着技术的进步,近 来 研制成了白光高亮二极管,形成了LED照明这一新兴产业。
还用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
20.、硅功率开关二极管
硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。
点接触型二极管,按正向和反向特性分类如下。
1.一般用点接触型二极管
这种二极管正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品。如:SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
2.高反向耐压点接触型二极管
是大峰值反向电压和大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管,其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。
3.高反向电阻点接触型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管。
4.高传导点接触型二极管
它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言,能够得到更优良的特性。这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高。
10导电特性
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。...
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2020-06-28